Ⅰ.
Introducción del producto de chapa de cerámica de carburde silicio:
La oblea de carburde siliaislde alta frecuencia (SiC) es un material semiconductor de tercera generación, un semiconductor compuesto compuesto por elementos de carbono y elementos de sili. Tiene excelentes propiedades tales como alto voltade ruptura , alta conductividad térmica y banda ancha gap (3,26 eV). Es un material ideal para la fabricación de dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.
Ⅱ.
Características principales
1. Propiedades físicas:
Densidad: 3,21-3,23 g/cm ² (sólo 40% de acero).
Dureza : dureza de Mohs 9.0-9.5 (solo superado por el diamante).
Conductividad térmica − : 120-150 W/(m·K) (3-4 veces la del sili).
Punto de fusión : aproximadamente 2730℃.
2. Propiedades eléctricas:
Tensión de ruptura − : 8-10 veces la del silicio.
Velocidad de deriva de saturde electrones − : 2-3 veces la del sili.
Constante dieléctrica : 9-10, adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.
Propiedades aislantes : alta tensión de ruptura y baja corriente de fuga.
Ⅲ.
Campos de aplicación.
1. New Energy vehicles: sistema de propuleléctrica, pila de carga rápida.
2. 5G Communications : dispositivos de radio frecuencia de estación base.
3. Energía fotovoltaica y eólica: inverter.
4. Smart grid: equipo eléctrico de alta tensión.
5. Aerospace: componentes de alta temperatura.
Ⅰ.Technical parameters
Parameter category | 4H-SiC | 6H-SiC |
Bandgap width | 3.26 eV | 3.03 eV |
electron mobility | High (2-3 times higher than 6H-SiC) | lower |
Applicable scenarios | High frequency, high voltage | High current applications |
Supports custom specifications.
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